{"id":198,"date":"2019-08-26T08:00:27","date_gmt":"2019-08-26T05:00:27","guid":{"rendered":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/?p=198"},"modified":"2024-02-09T15:33:51","modified_gmt":"2024-02-09T13:33:51","slug":"keski-suomesta-ald-landia","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/2019\/08\/26\/keski-suomesta-ald-landia\/","title":{"rendered":"Keski-Suomesta ALD -landia?"},"content":{"rendered":"

Jyv\u00e4skyl\u00e4n ammattikorkeakoulussa p\u00e4\u00e4ttyi kev\u00e4\u00e4ll\u00e4 ohutkalvojen kokeelliseen ja soveltavaan tutkimukseen keskittynyt Teollisesti Funktionaaliset pinnat -hanke (TFP). Tieteellisell\u00e4 ohutkalvotutkimuksella on Suomalaisessa yliopistokent\u00e4ss\u00e4 pitk\u00e4t perinteet.\u00a0 Kansainv\u00e4lisesti arvostettua ohutkalvotutkimusta on tehty mm. Helsingin yliopistossa, Teknillisess\u00e4 Korkeakoulussa (Aalto yliopistossa) sek\u00e4 Jyv\u00e4skyl\u00e4n yliopistossa. Ammattikorkeakoulusektorilla soveltavaa ohutkalvotutkimusta on tehty varsin v\u00e4h\u00e4n. Erityisesti Millenium \u2013 palkitun atomikerroskasvatusteknologian (ALD) kehitys on nostanut ohutkalvotekniikan sovellettavuuden uudelle tasolle. Nyt on aika insin\u00f6\u00f6rienkin k\u00e4\u00e4ri\u00e4 hihat, ryhty\u00e4 ohutkalvohommiin ja tuoda ohutkalvotutkimuksen hedelm\u00e4t laajasti suomalaisen teollisuuden k\u00e4ytt\u00f6\u00f6n.<\/p>\n

TFP-hankkeen yhten\u00e4 tavoitteena oli kehitt\u00e4\u00e4 pinnoitusyhteisty\u00f6t\u00e4 Jyv\u00e4skyl\u00e4n ammattikorkeakoulun, Jyv\u00e4skyl\u00e4n yliopiston ja Keski-Suomen alueen yritysten v\u00e4lille. Hankkeen tuloksena on kehittym\u00e4ss\u00e4 uudenlainen Jyv\u00e4skyl\u00e4n yliopiston ja ammattikorkeakoulun laitekantaa ja huippuosaajia hy\u00f6dynt\u00e4v\u00e4 ohutkalvoekosysteemi, ALD CoCampus.<\/p>\n

JAMK panostaa voimakkaasti sovellettuun materiaalitekniikkaan uuden CAMS \u2013keskuksen my\u00f6t\u00e4. CAMS \u2013keskuksen toiminnan kolme kivijalkaa ovat materiaalien v\u00e4symistestaus, 3D-tulostus ja ohutkalvoteknologiat. Ohutkalvoihin keskittyv\u00e4t hankkeet sek\u00e4 koulutus ja liiketoiminta tulevat olemaan merkitt\u00e4v\u00e4 osa t\u00e4m\u00e4n keskuksen toimintaa. CAMS \u2013keskuksen toimintamallina ovat yritysl\u00e4ht\u00f6iset T&K -tutkimusprojektit, joilla pyrit\u00e4\u00e4n tuottamaan uutta tietoa ja synnytt\u00e4m\u00e4\u00e4n uutta liiketoimintaa.<\/p>\n

Sitke\u00e4 ty\u00f6 kannattaa!<\/h2>\n

ALD on t\u00e4ll\u00e4 hetkell\u00e4 nopeimmin levi\u00e4v\u00e4 ohutkalvotekniikka maailmassa. Menetelm\u00e4n kehitt\u00e4j\u00e4lle tohtori Tuomo Suntolalle my\u00f6nnettiinkin kev\u00e4\u00e4ll\u00e4 2018 ty\u00f6st\u00e4\u00e4n miljoonan euron Millenium -teknologiapalkinto. ALD-menetelm\u00e4n edut; atomaarisen tasaiset ja taustan muotoja tarkasti seuraavat l\u00e4hes virheett\u00f6m\u00e4t pinnoitteet sek\u00e4 mahdollisuus hallita pinnoitteen paksuutta atomikerroksen tarkkuudella, on tehnyt siit\u00e4 elektroniikkateollisuudelle korvaamattoman menetelm\u00e4n. ALD on t\u00e4rkein syy siihen, miksi Mooren laki on viel\u00e4 2020-luvun korvilla elossa. Gordon E. Mooren jo 1965 esitt\u00e4m\u00e4n lain mukaan transistorien tiheys mikropiirill\u00e4 tuplaantuu kahdessa vuodessa.<\/p>\n

ALD on erinomainen esimerkki pitk\u00e4j\u00e4nteisen ja per\u00e4\u00e4nantamattoman teknologisen kehitysty\u00f6n voimasta. Suntola kumppaneineen patentoi menetelm\u00e4n jo 1970-luvulla ja viel\u00e4 1990-luvulla menetelm\u00e4\u00e4 pidettiin yleisesti liian hitaana ja hankalana soveltuakseen koskaan massatuotantoon.\u00a0 2000-luvulla menetelm\u00e4n arvo mikroelektroniikassa lopulta ymm\u00e4rrettiin ja se l\u00f6i itsens\u00e4 lopullisesti l\u00e4pi muistipiirien sek\u00e4 mikroprosessoreiden valmistuksessa. Intel otti menetelm\u00e4n ensimm\u00e4isen\u00e4 k\u00e4ytt\u00f6\u00f6n 45 nm:n prosessoreissaan 2007.<\/p>\n

Atomikerroskasvatus eli muurari muurasi taloa<\/h2>\n

Nimens\u00e4 mukaisesti atomikerroskasvatuksessa pinnoitteet valmistetaan atomikerros kerrallaan, kuin \u201datomitiilist\u00e4\u201d muuraten. Laastina k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n kemiaa. Onnistuneita perinteisi\u00e4 ALD-pinnoituksia on tehty vain hieman huoneenl\u00e4mp\u00f6\u00e4 korkeammassa l\u00e4mp\u00f6tilassa, mutta yleens\u00e4 tarvittavat l\u00e4mp\u00f6tilat ovat korkeampia.\u00a0 Menetelm\u00e4st\u00e4 k\u00e4ytet\u00e4\u00e4nkin nimityst\u00e4 terminen ALD (thermal ALD).\u00a0 Tarvittavat l\u00e4mp\u00f6tilat riippuvat pinnoitettavasta materiaalista ja k\u00e4ytett\u00e4vist\u00e4 l\u00e4ht\u00f6aineista (prekursoreista). Samaa pinnoitemateriaalia voidaan usein valmistaa erilaisista prekursoreista, jolloin puhutaan saman pinnoitemateriaalin eri ALD-prosessista. ALD-prosessit toimivat tietyll\u00e4 rajatulla l\u00e4mp\u00f6tila-alueella, josta k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n nimityst\u00e4 ALD \u2013ikkuna (ALD window). T\u00e4m\u00e4n ikkunan ulkopuolella atomitiilitalon rakentaminen ei joko onnistu ollenkaan tai muurari alkaa valmistaa taloa hutiloidummin useampi tiili kerrallaan.<\/p>\n

Terminen ALD<\/h2>\n

Termiset ALD -laitteistot toimivat sykleitt\u00e4in, pulssitetusti (Kuva 1). Pinnoituksen aluksi (vaihe 1) ALD -reaktoriin sy\u00f6tet\u00e4\u00e4n l\u00e4ht\u00f6ainetta 1, joka alkaa reagoida substraatin pinnan kanssa. Kun l\u00e4ht\u00f6aine 1 on kattanut (saturoinut) koko pinnan, reaktio loppuu. Reaktio loppuu, koska l\u00e4ht\u00f6aine ei reagoi itsens\u00e4 kanssa ja pinnassa ei ole en\u00e4\u00e4 vapaita paikkoja, joissa l\u00e4ht\u00f6aine voisi reagoida. Loput kammiossa olevasta l\u00e4ht\u00f6aineesta 1 huuhdellaan pois inertill\u00e4 kaasulla, tyypillisesti typell\u00e4 tai argonilla. Huuhtelu p\u00e4\u00e4tt\u00e4\u00e4 ensimm\u00e4isen puolisyklin. Seuraavassa vaiheessa kammioon sy\u00f6tet\u00e4\u00e4n l\u00e4ht\u00f6ainetta 2, joka reagoi l\u00e4ht\u00f6aineen 1 kanssa muodostaen halutun yhdisteen. J\u00e4lleen reaktio jatkuu niin kauan, kun pinnassa on vapaita reaktiopaikkoja (eli kunnes yhdiste on kattanut eli saturoinut pinnan). Kasvatussyklin, ja toisen puolisyklin, p\u00e4\u00e4tt\u00e4\u00e4 reagoimattoman l\u00e4ht\u00f6aineen huuhtelu reaktorista.\u00a0 Uusi sykli alkaa j\u00e4lleen l\u00e4ht\u00f6aineen 1 sy\u00f6tt\u00e4misell\u00e4 reaktoriin. T\u00e4llaista pinnoitusprosessia kutsutaan itse\u00e4ns\u00e4 rajoittavaksi (self-limiting) ja pinta-rajoitteiksesi (surface limited). Pinnoitusta jatketaan, kunnes haluttu syklim\u00e4\u00e4r\u00e4\/m\u00e4\u00e4r\u00e4 atomikerroksia on kasvanut pintaan.<\/p>\n

ALD:n etuja ja rajoitteita<\/h2>\n

ALD-pinnoituksen merkitt\u00e4vin etu on suoraa seurausta t\u00e4st\u00e4 pintarajoitteisuudesta. Pinnoite seuraa tarkasti pinnoitettavan kappaleen pinnan muotoja eli toisin sanoen pinnoite on eritt\u00e4in konformaalinen (conformal) taustansa kanssa. Mill\u00e4\u00e4n muulla pinnoitusmenetelm\u00e4ll\u00e4 ei p\u00e4\u00e4st\u00e4 l\u00e4hellek\u00e4\u00e4n ALD:t\u00e4 vastaava konformaalisuutta. Huolellisesti atomikerros kerrokselta tapahtuvassa kalvon kasvussa on my\u00f6s muut selke\u00e4t etunsa. Kalvot ovat tasaisen paksuisia (uniform), tiheit\u00e4 (density) ja niiss\u00e4 ei ole pieni\u00e4k\u00e4\u00e4n reiki\u00e4 (pinholes).\u00a0 T\u00e4st\u00e4 huolellisuudesta maksetaan se hinta, ett\u00e4 perinteinen terminen ALD pinnoitusprosessi on selv\u00e4sti muita kaasufaasimenetelmi\u00e4 kasvatusnopeudeltaan hitaampi. Toisaalta tietyiss\u00e4 sovelluksissa, jo muutaman tai muutaman kymmenen atomikerroksen paksuiset ALD pinnoitteet riitt\u00e4v\u00e4t\u2026 ja jos halutaan pinnoittaa erikoisempia ja jyrkki\u00e4 pinnanmuotoja tasaisen paksulla pinnoitteella, ALD on the vaihtoehto.<\/p>\n

Korkealaatuisia suojakerroksia ALD:lla<\/h2>\n

ALD-pinnoitteiden t\u00e4rkeimm\u00e4t sovellukset ovat t\u00e4ll\u00e4 hetkell\u00e4 mikroelektroniikan eristekerrokset ja erilaiset kosteuden, hapen ja ei-toivotun diffuusion vaikutuksilta suojaavat kerrokset (barrier layers). Elektroniikkateollisuuden vaatimuksen pinnoitteiden laadulle ovat poikkeukselliset. Esimerkiksi taipuisat orgaaniset OLED n\u00e4yt\u00f6t ovat eritt\u00e4in herkki\u00e4 kosteuden vaikutukselle ja tarvitsevat toiminallisen pintakerroksen suojaamaan niit\u00e4 kosteudelta. Kerroksen tulee olla eritt\u00e4in korkealaatuinen, suojavaikutuksen tulee olla vastaava, kuin jalkapallokent\u00e4n kokoiselle muovikalvolle saisi levitt\u00e4\u00e4 pisaran vett\u00e4 kuukauden aikana. T\u00e4llaiseen suojavaikutukseen p\u00e4\u00e4st\u00e4\u00e4n esimerkiksi noin viidenkymmenen mikrometrin lasikerroksella (ihmisen hiuksen paksuus on noin 100 mikrometri\u00e4). Tarvittavan ALD-pinnoitteen paksuus on sen sijaan noin tuhannesosa t\u00e4st\u00e4, 50 nanometri\u00e4!<\/p>\n

Plasma-avusteisesti pinnoitetta alhaisemmissa l\u00e4mp\u00f6tiloissa ja lis\u00e4\u00e4 pinnoitemateriaaleja<\/h2>\n

Termisen ALD:n tarvitsemat l\u00e4mp\u00f6tilat rajoittavat menetelm\u00e4n soveltuvuutta taustamateriaaleille, jotka eiv\u00e4t kest\u00e4 korkeita l\u00e4mp\u00f6tiloja. T\u00e4llaisia materiaaleja ovat esimerkiksi useat muovit. Pinnoitusl\u00e4mp\u00f6tilojen madaltamiseksi, pit\u00e4\u00e4 pintaan tuoda energiaa, jollakin muulla tavalla kuin lis\u00e4\u00e4m\u00e4ll\u00e4 reaktorin l\u00e4mp\u00f6tilaa. T\u00e4ss\u00e4 hy\u00f6dynnet\u00e4\u00e4n aineen nelj\u00e4tt\u00e4 olomuotoa, energeettist\u00e4 ionisoitunutta kaasua eli plasmaa.\u00a0 Plasma-avusteisessa ALD-pinnoituksessa toisen puolisyklin l\u00e4ht\u00f6aineena k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n halutusta reaktiosta riippuen tyypillisesti happi, vety, ammoniakkiplasmaa tai n\u00e4iden sekoituksia.<\/p>\n

Plasma-avusteisuus lis\u00e4\u00e4 ALD:n sovellettavuutta, niin taustamateriaaleissa kuin pinnoitteissakin, mutta tuo mukanaan my\u00f6s tiettyj\u00e4 rajoitteita. Plasma-avusteisten pinnoitteiden konformaalisuus ei ole yht\u00e4 hyv\u00e4 kuin termisesti valmistettujen. Plasmasysteemit tekev\u00e4t my\u00f6s laitteistoista monimutkaisempia ja vaikeuttavat ALD-prosessien skaalausta teolliseen mittakaavaan. Tietyiss\u00e4 ALD-prosesseissa energeettinen plasma saattaa my\u00f6s aiheuttaa kasvavaan kalvoon vaurioita.<\/p>\n

Spatiaalinen ALD tuo pinnoitusnopeudet uudelle tasolle<\/h2>\n

Tuomo Suntola patentoi jo 1970-luvulla my\u00f6s toisenlaisen tavan valmistaa ALD-kalvoja. Kun perinteisess\u00e4 ALD:ssa pinnoitus tapahtuu prekursori pulssien ja huuhteluiden ajallisena jatkumona, toisessa tavassa, spatiaalisessa ALD:ssa, kaasuvirtaukset ovat jatkuvia ja substraatti (ks. kuva) liikkuu eri virtausalueilta. Liikkuessaan alueella 1 pinnoitettava substraatti saturoituu prekursorilla 1. Seuraavaksi substraatti siirtyy alueella, jossa virtaa inertti, barrier kaasu, tyypillisesti typpi. Inertin kaasun j\u00e4lkeen vuorossa on siirtyminen toisen puolisyklin alueelle, jossa tapahtuvan kemiallisen reaktion seurauksena syntyy haluttu materiaali. Pinnoitusta jatketaan taas siirtym\u00e4ll\u00e4 barrier kaasuvirtausalueen kautta uudestaan alueelle, jossa virtaa prekursori 1. Pinnoitusta jatketaan edelleen, kunnes haluttu m\u00e4\u00e4r\u00e4 syklej\u00e4\/atomikerroksia on saatu kasvatettua pintaan.<\/p>\n

Termisen ALD:n aikaa vievi\u00e4 huuhteluvaiheita ei spatiaalisessa ALD:ssa (SALD) tarvita ja t\u00e4m\u00e4n ansiosta kalvon kasvatusnopeudet voidaan kasvattaa jopa satakertaisiksi perinteiseen ALD:hen verrattuna. Rajoittavana tekij\u00e4n\u00e4 on saturaatioon tarvittava viipym\u00e4aika eri alueilla. Substraatti ei saa paeta reaktioalueella liian nopeasti. Substraatin nopeuden lis\u00e4\u00e4minen, lis\u00e4\u00e4 my\u00f6s riski\u00e4 prekursorikaasujen ei-toivottuun kulkeutumiseen barrier alueen l\u00e4pi reaktioalueelta toiselle. Pinnoitusnopeudet ovat kilpailukykyisi\u00e4 muiden kaasufaasimenetelmien kanssa. Menetelm\u00e4 on my\u00f6s helposti skaalattavissa pilot- ja teollisuuskokoluokkaan sek\u00e4 rullalta rullalle (R2R) valmistukseen. SALD toimii jopa ilman tyhji\u00f6kammiota!\u00a0 Suntola laski jo 1980 \u2013luvulla, ett\u00e4 spatiaalinen ALD toimi taloudellisesti, ilman kohtuuttoman suuria ja kustannuksia lis\u00e4\u00e4vi\u00e4 kaasuvirtauksia, my\u00f6s normaali-ilmanpaineessa. Menetelm\u00e4st\u00e4 k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n lyhennett\u00e4 AALD (atmospheric atomic layer deposition). 2000-luvun ALD-tutkimusbuumissa, 2008 Eastman Kodak Companyn tutkijat esitteliv\u00e4t ensimm\u00e4isin\u00e4 toimivan teknisen AALD ratkaisun. Menetelm\u00e4ss\u00e4 substraatti tuodaan hyvin l\u00e4helle pinnoitusp\u00e4\u00e4t\u00e4, noin 30 mikrometrin et\u00e4isyydell\u00e4 ja siit\u00e4 k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n nimitys l\u00e4hi-SALD (close proximity SALD).<\/p>\n

Koska SALD-pinnoituksella on edelleen ALD:n edut, ylivoimainen pinnoitteiden konformaalisuus, tihe\u00e4t ja tasaiset kalvot sek\u00e4 atomikerrosluokan paksuuskontrolli, ei ole ihme, ett\u00e4 SALD:n kehitys on johtanut uuteen buumiin ALD tutkimuksessa.<\/p>\n

ALD pinnoituksen nuorimpana vesana, toimivia SALD prosesseja on olemassa rajoitettu m\u00e4\u00e4r\u00e4 verrattuna perinteiseen ALD:hen. Toimivia oksidiprosesseja on t\u00e4h\u00e4n menness\u00e4 esitetty kymmenen, mukaan lukien alumiinioksidi (Al2O3), sinkkioksidi (ZnO), titaanidioksidi (TiO2), hafniumoksidi (HfO2), zirkoniumoksidi (ZrO2) ja niobiumoksidi (Nb2O3).\u00a0 Puolijohdeteollisuudelle t\u00e4rkeit\u00e4 doupattuja kalvoja pystyt\u00e4\u00e4n my\u00f6s valmistamaan spatiaalisesti. Metalliprosesseja on kehitetty hopealle (Ag) ja platinalle (Pt). Yhteens\u00e4 toimivia SALD prosesseja l\u00f6ytyy parisenkymment\u00e4. Pinnoitekent\u00e4ll\u00e4 on siis viel\u00e4 tilaa.<\/p>\n

Kolme ensimm\u00e4ist\u00e4 Suntolan ALD reaktorimallia hy\u00f6dynsi spatiaaliteknologiaa.\u00a0 Kuitenkin SALD:n kehitysty\u00f6 on l\u00e4htenyt toden teolla k\u00e4yntiin vasta reilusti vuosituhannen vaihteen j\u00e4lkeen.\u00a0 Ensimm\u00e4iset tieteelliset julkaisut aiheesta ilmestyiv\u00e4t vuoden 2005 paikkeilla ja t\u00e4ll\u00e4 hetkell\u00e4 julkaisuja ilmestyy kymmeni\u00e4 vuodessa. Grenoblessa ty\u00f6skentelev\u00e4n ALD-tutkijan tohtori David\u00a0 Mu\u00f1oz-Rojasin mukaan (2015) SALD:iin liittyv\u00e4\u00e4 tutkimusty\u00f6t\u00e4 tehd\u00e4\u00e4n maailmalla 16 laboratoriossa \u00a0ja kaupallisia laitevalmistajia on 6 kappaletta. Suomessa ansiokasta menetelm\u00e4n kehitysty\u00f6t\u00e4 tehtiin 2010-luvun alkupuoliskolla Mikkeliss\u00e4 Lappeenrannan yliopiston, Astral \u2013laboratoriossa professori David Cameronin johdolla.<\/p>\n

 <\/p>\n

\"\"<\/p>\n

 <\/p>\n

SALD Suomessa<\/h2>\n

Molemmat suomalaiset ALD laitevalmistajat, Beneq ja Picosun ovat rakentaneet tutkimusk\u00e4ytt\u00f6\u00f6n soveltuvia SALD laitteistoja. Beneq on tuonut ensimm\u00e4isen\u00e4 markkinoille pilot -kokoluokan R2R SALD laitteistot. Ensimm\u00e4inen kehitysversio WCS 500 (WCS, Web Coating System) asennettiin Mikkeliin 2013.\u00a0 Sittemmin kaksi uudempaa, WCS 600, laitteistoa on myyty tutkimusk\u00e4ytt\u00f6\u00f6n Englantiin ja Japaniin. Mikkelin Astral \u2013laboratorion toiminnan loppumisen j\u00e4lkeen WCS 500 laitteisto ja kaksi muuta tutkimusk\u00e4ytt\u00f6\u00f6n tarkoitettua Beneqin ALD laitteistoa, TFS 200r SALD laitteisto sek\u00e4 TFS 500 terminen ALD laitteisto ovat siirtyneet Jyv\u00e4skyl\u00e4n yliopiston omistukseen sek\u00e4 laitteet on yliopiston ja Jyv\u00e4skyl\u00e4n Ammattikorkeakoulun yhteisty\u00f6n\u00e4 siirretty Jyv\u00e4skyl\u00e4\u00e4n. Tiivistyv\u00e4n pinnoitusyhteisty\u00f6n nimiss\u00e4 Jyv\u00e4skyl\u00e4 yliopisto lahjoitti WCS 5OO laitteiston ammattikorkeakoululle.\u00a0 Laite on alkuvuodesta 2019 siirretty JAMKin tiloihin Rajakadulle ja sit\u00e4 ollaan t\u00e4ll\u00e4 hetkell\u00e4 rakentamassa k\u00e4ytt\u00f6kuntoon. TFS 200r laitteisto saatiin j\u00e4lleen muuton j\u00e4lkeen pinnoituskuntoon syksyll\u00e4 2018 ja SALD pinnoituksia on tehty Jyv\u00e4skyl\u00e4ss\u00e4 jo noin vuoden ajan.<\/p>\n

Ohutkalvo- ja ALD -tutkimusta Jyv\u00e4skyl\u00e4n Yliopistossa<\/h2>\n

Jyv\u00e4skyl\u00e4n yliopistolla on pitk\u00e4\u00e4n tehty korkealaatuista tieteellist\u00e4 nanoteknologiaan liittyv\u00e4\u00e4 tutkimusta. Yliopiston nanotiedekeskuksessa on lukuisia eri kaasufaasitekniikoita hy\u00f6dynt\u00e4vi\u00e4 pinnoituslaitteitta, mukaan lukien CVD-laitteisto, elektronisuihkuh\u00f6yrystyslaitteisto (electron beam evaporation) ja laserablaatiolaitteisto (PLD, pulsed laser deposition).<\/p>\n

Maailmanlaajuisestikin poikkeuksellisia ty\u00f6hevosia ohutkalvotutkimukseen ovat Professori Sajavaaran tutkimusryhm\u00e4n Pelletron -kiihdytin sek\u00e4 Nanotiedekeskuksen heliumionimikroskooppi. Siirrytty\u00e4\u00e4n tutkijaksi Jyv\u00e4skyl\u00e4n yliopistoon Timo Sajavaara on systemaattisesti kehitt\u00e4nyt yliopiston kiihdytinlaboratoriossa toimivasta tutkimusryhm\u00e4st\u00e4\u00e4n yhden maailman tunnetuimista kiihdytinpohjaiseen materiaalifysiikkaan keskittyvist\u00e4 ryhmist\u00e4. T\u00e4m\u00e4 systemaattinen ty\u00f6 palkittiin, kun Sajavaara nimitettiin alansa professoriksi Jyv\u00e4skyl\u00e4 yliopiston fysiikan laitokselle 2015.\u00a0 Pelletron -kiihdytin ja erityisesti TOF-ERDA -menetelm\u00e4 sopivat eritt\u00e4in hyvin ohutkalvojen alkuainekoostumuksen ja niiden syvyysjakautuminen m\u00e4\u00e4ritt\u00e4misen. Muita t\u00e4rkeit\u00e4 Pelletronkiihdytint\u00e4 hy\u00f6dynt\u00e4vi\u00e4 ovat RBS (Rutherford Backscattering) ja PIXE (Particle Induced X-Ray Emission).<\/p>\n

Fysiikanlaitoksen ja nanotiedekeskuksen moderniin laitekantaan kuuluu lukuisia elektronimikroskooppeja mm. l\u00e4p\u00e4isy- ja pyyhk\u00e4isyelektronimikroskoopit (SEM, Scanning Electron Microscope, TEM, Transmission Electron Microscope), atomivoimamikroskooppeja (AFM, Atomic Force Microscope), r\u00f6ntgendiffraktiolaitteistoja, ellipsometri, 3D-profilometri, valomikroskooppeja, hyperspektrikameroita, r\u00f6ntgentomografialaitteistoja jne. Erityisen hy\u00f6dyllinen ja harvinainen ty\u00f6kalu, joka soveltuu erityisen hyvin ohutkalvopinnoitteiden analysointiin, on nanotiedekeskuksen puhdastilassa sijaitseva heliumionimikroskooppi. Laitteen poikkeuksellisena etuna on, ett\u00e4 sill\u00e4 pystyt\u00e4\u00e4n kuvantamaan s\u00e4hk\u00f6isesti erist\u00e4vi\u00e4 n\u00e4ytteit\u00e4 ilman erityist\u00e4 esik\u00e4sittelyvaihetta. Esimerkiksi SEM-mikroskoopeissa erist\u00e4v\u00e4t n\u00e4ytteet pit\u00e4\u00e4 kuvantamista varten pinnoittaa johtaviksi.<\/p>\n

ALD-tutkimusta Sajavaaran ryhm\u00e4ss\u00e4 on tehty vuodesta 2013 l\u00e4htien, jolloin Jyv\u00e4skyl\u00e4n yliopiston nanotiedekeskukseen hankittiin Beneqin valmistaja TFS 200 ALD-tutkimusty\u00f6kalu. Yhten\u00e4 t\u00e4rke\u00e4n\u00e4 tutkimusaiheena on ollut metallioksidien plasma-avusteinen ALD. Aiheesta julkaisi v\u00e4it\u00f6skirjan Mari Napari, joka t\u00e4ll\u00e4 hetkell\u00e4 jatkaa ansiokasta tutkimusty\u00f6t\u00e4\u00e4n Cambridgen yliopistossa, Englannissa.<\/p>\n

ALD CoCampus: pinnoitusosaamista yrityksille tutkimuksesta pilotteihin<\/h2>\n

TFP hankkeen yhten\u00e4 tavoitteena oli kehitt\u00e4\u00e4 ohutkalvopinnoitusyhteisty\u00f6t\u00e4 Jyv\u00e4skyl\u00e4n yliopiston, JAMKin sek\u00e4 alueen yritysten v\u00e4lill\u00e4. Hanke saavutti tavoitteensa. Yhteisty\u00f6 on l\u00e4htenyt hyvin ja sujuvasti liikkeelle. T\u00e4st\u00e4 hyv\u00e4n\u00e4 esimerkkin\u00e4 on ALD-laitteistojen siirto Mikkelist\u00e4 Jyv\u00e4skyl\u00e4\u00e4n.\u00a0 Laitteita ollaan yhdess\u00e4 ajamassa yl\u00f6s ja niit\u00e4 hy\u00f6dynt\u00e4v\u00e4\u00e4 tutkimus- sek\u00e4 hanketoimintaa puuhataan kovaa kyyti\u00e4.\u00a0 Tasapuolisina partnereina pyrit\u00e4\u00e4n hy\u00f6dynt\u00e4m\u00e4\u00e4n osapuolten erilaisia vahvuuksia, yliopiston vahvaa tutkimusosaamista ja JAMKin l\u00e4heist\u00e4 suhdetta yritysrajapintaan. Korkeakoulujen yhteisty\u00f6n, Edufutura, hengess\u00e4 ollaan rakentamassa uudenlaista ohutkalvoihin liittyvi\u00e4 tutkimus-, kehitys- ja koulutuspalveluja tarjoavaa ekosysteemi\u00e4. T\u00e4m\u00e4n ekosysteemin nimeksi on annettu ALD CoCampus. ALD CoCampus tarjoaa, yhden luukun politiikalla, ohutkalvo-osaamista sit\u00e4 tarvitseville, oli sitten kyseess\u00e4 yritys, tutkimuslaitos tai muu asiasta hy\u00f6ty\u00e4 saava taho.<\/p>\n

ALD CoCampuksen monipuolinen laitekanta tarjoaa mahdollisuuden kehitt\u00e4\u00e4 ALD -pinnoitusprosesseja reseptiikasta aina valmiiseen tuotteeseen asti.\u00a0 TFS 200 -laitteisto soveltuu uusien pinnoitusmateriaalien ja erilaisten substraattimateriaalien testaukseen. Isommalla pinnoituskammiolla varustetulla TFS 500 p\u00e4\u00e4st\u00e4\u00e4n testaamaan isompia kappaleita. Sek\u00e4 TFS 200, ett\u00e4 500 soveltuvat my\u00f6s plasma-avusteiseen ALD:hen, joten mahdollisten prosessien kirjo kattaa periaatteessa koko ALD-kent\u00e4n.<\/p>\n

\"\" \u00a0\u00a0 \"\"<\/p>\n

Spatiaalisella TFS 200r laitteella voidaan testata ALD-prosesseja taipuisille materiaaleille kuten painettavalle elektroniikalle, muovi\u2013 ja metallikalvoille, kankaille sek\u00e4 paperille ja muille kuitupohjaisille materiaaleille. Vertailupinnoitteita prosessitesteihin saadaan helposti valmistettua TFS 200 laitteistolla. Parhaat ja toimivat spatiaaliset prosessit taipuisille materiaaleille voidaan lopuksi testata viel\u00e4 teollisessa mittakaavassa WCS 500 R2R pinnoituslaitteella.<\/p>\n

ALD-pinnoitteiden l\u00e4pimurto on tapahtunut mikroelektroniikassa. SALD-menetelmien kehitys on tuomassa ALD-pinnoitteet mikroelektroniikkapoterostaan muiden teollisuuden alojen saataville. T\u00e4m\u00e4n ALD-aallon mukana on my\u00f6s Jyv\u00e4skyl\u00e4n ammattikorkeakoululla mahdollisuus profiloitua v\u00e4hint\u00e4\u00e4nkin Suomen johtavaksi ammattikorkeakouluksi pintateknologiassa, mutta my\u00f6s kansainv\u00e4linen kentt\u00e4 on avoin. Go ALD CoCampus!<\/p>\n

Kirjoitus on julkaistu my\u00f6s englanniksi. Lue versio t\u00e4st\u00e4.<\/a><\/strong><\/p>\n

-Esa Alakoski, projekti-insin\u00f6\u00f6ri, FT, Teollisesti Funktionaaliset pinnat \u2013hanke (evp), CAMS, ALD CoCampus, Jyv\u00e4skyl\u00e4, Jyv\u00e4skyl\u00e4n ammattikorkeakoulu
\n<\/em><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Jyv\u00e4skyl\u00e4n ammattikorkeakoulussa p\u00e4\u00e4ttyi kev\u00e4\u00e4ll\u00e4 ohutkalvojen kokeelliseen ja soveltavaan tutkimukseen keskittynyt Teollisesti Funktionaaliset pinnat -hanke (TFP). Tieteellisell\u00e4 ohutkalvotutkimuksella on Suomalaisessa yliopistokent\u00e4ss\u00e4 pitk\u00e4t perinteet.\u00a0 Kansainv\u00e4lisesti arvostettua ohutkalvotutkimusta on tehty mm. Helsingin yliopistossa, Teknillisess\u00e4 Korkeakoulussa (Aalto yliopistossa) sek\u00e4 Jyv\u00e4skyl\u00e4n yliopistossa. Ammattikorkeakoulusektorilla soveltavaa ohutkalvotutkimusta on tehty varsin v\u00e4h\u00e4n. Erityisesti Millenium \u2013 palkitun atomikerroskasvatusteknologian (ALD) kehitys on nostanut ohutkalvotekniikan sovellettavuuden […]<\/p>\n","protected":false},"author":450,"featured_media":201,"comment_status":"open","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"footnotes":""},"categories":[86449,932],"tags":[90741,90740,90742],"class_list":["post-198","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-teollisuus","category-yleinen","tag-ald-cocampus","tag-atomikerroskasvatus","tag-ohutkalvopinnoitus"],"acf":false,"yoast_head":"\nKeski-Suomesta ALD -landia? - Tech to the Future<\/title>\n<meta name=\"robots\" content=\"index, follow, max-snippet:-1, max-image-preview:large, max-video-preview:-1\" \/>\n<link rel=\"canonical\" href=\"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/2019\/08\/26\/keski-suomesta-ald-landia\/\" \/>\n<meta property=\"og:locale\" content=\"fi_FI\" \/>\n<meta property=\"og:type\" content=\"article\" \/>\n<meta property=\"og:title\" content=\"Keski-Suomesta ALD -landia? - Tech to the Future\" \/>\n<meta property=\"og:description\" content=\"Jyv\u00e4skyl\u00e4n ammattikorkeakoulussa p\u00e4\u00e4ttyi kev\u00e4\u00e4ll\u00e4 ohutkalvojen kokeelliseen ja soveltavaan tutkimukseen keskittynyt Teollisesti Funktionaaliset pinnat -hanke (TFP). Tieteellisell\u00e4 ohutkalvotutkimuksella on Suomalaisessa yliopistokent\u00e4ss\u00e4 pitk\u00e4t perinteet.\u00a0 Kansainv\u00e4lisesti arvostettua ohutkalvotutkimusta on tehty mm. Helsingin yliopistossa, Teknillisess\u00e4 Korkeakoulussa (Aalto yliopistossa) sek\u00e4 Jyv\u00e4skyl\u00e4n yliopistossa. Ammattikorkeakoulusektorilla soveltavaa ohutkalvotutkimusta on tehty varsin v\u00e4h\u00e4n. Erityisesti Millenium \u2013 palkitun atomikerroskasvatusteknologian (ALD) kehitys on nostanut ohutkalvotekniikan sovellettavuuden […]\" \/>\n<meta property=\"og:url\" content=\"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/2019\/08\/26\/keski-suomesta-ald-landia\/\" \/>\n<meta property=\"og:site_name\" content=\"Tech to the Future\" \/>\n<meta property=\"article:published_time\" content=\"2019-08-26T05:00:27+00:00\" \/>\n<meta property=\"article:modified_time\" content=\"2024-02-09T13:33:51+00:00\" \/>\n<meta property=\"og:image\" content=\"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/wp-content\/uploads\/sites\/530\/2019\/08\/ALD-laite-JAMK.jpg\" \/>\n\t<meta property=\"og:image:width\" content=\"800\" \/>\n\t<meta property=\"og:image:height\" content=\"600\" \/>\n\t<meta property=\"og:image:type\" content=\"image\/jpeg\" \/>\n<meta name=\"author\" content=\"Toimittaja\" \/>\n<meta name=\"twitter:card\" content=\"summary_large_image\" \/>\n<meta name=\"twitter:label1\" content=\"Written by\" \/>\n\t<meta name=\"twitter:data1\" content=\"Toimittaja\" \/>\n\t<meta name=\"twitter:label2\" content=\"Est. reading time\" \/>\n\t<meta name=\"twitter:data2\" content=\"11 minuuttia\" \/>\n<script type=\"application\/ld+json\" class=\"yoast-schema-graph\">{\"@context\":\"https:\\\/\\\/schema.org\",\"@graph\":[{\"@type\":\"Article\",\"@id\":\"https:\\\/\\\/blogit.jamk.fi\\\/techtothefuture\\\/2019\\\/08\\\/26\\\/keski-suomesta-ald-landia\\\/#article\",\"isPartOf\":{\"@id\":\"https:\\\/\\\/blogit.jamk.fi\\\/techtothefuture\\\/2019\\\/08\\\/26\\\/keski-suomesta-ald-landia\\\/\"},\"author\":{\"name\":\"Toimittaja\",\"@id\":\"https:\\\/\\\/blogit.jamk.fi\\\/techtothefuture\\\/#\\\/schema\\\/person\\\/b478af14b390b3e603675f21efaab6e0\"},\"headline\":\"Keski-Suomesta ALD -landia?\",\"datePublished\":\"2019-08-26T05:00:27+00:00\",\"dateModified\":\"2024-02-09T13:33:51+00:00\",\"mainEntityOfPage\":{\"@id\":\"https:\\\/\\\/blogit.jamk.fi\\\/techtothefuture\\\/2019\\\/08\\\/26\\\/keski-suomesta-ald-landia\\\/\"},\"wordCount\":2187,\"commentCount\":0,\"image\":{\"@id\":\"https:\\\/\\\/blogit.jamk.fi\\\/techtothefuture\\\/2019\\\/08\\\/26\\\/keski-suomesta-ald-landia\\\/#primaryimage\"},\"thumbnailUrl\":\"https:\\\/\\\/blogit.jamk.fi\\\/techtothefuture\\\/wp-content\\\/uploads\\\/sites\\\/530\\\/2019\\\/08\\\/ALD-laite-JAMK.jpg\",\"keywords\":[\"ALD CoCampus\",\"atomikerroskasvatus\",\"ohutkalvopinnoitus\"],\"articleSection\":[\"Teollisuus\"],\"inLanguage\":\"fi\",\"potentialAction\":[{\"@type\":\"CommentAction\",\"name\":\"Comment\",\"target\":[\"https:\\\/\\\/blogit.jamk.fi\\\/techtothefuture\\\/2019\\\/08\\\/26\\\/keski-suomesta-ald-landia\\\/#respond\"]}]},{\"@type\":\"WebPage\",\"@id\":\"https:\\\/\\\/blogit.jamk.fi\\\/techtothefuture\\\/2019\\\/08\\\/26\\\/keski-suomesta-ald-landia\\\/\",\"url\":\"https:\\\/\\\/blogit.jamk.fi\\\/techtothefuture\\\/2019\\\/08\\\/26\\\/keski-suomesta-ald-landia\\\/\",\"name\":\"Keski-Suomesta ALD -landia? - Tech to the Future\",\"isPartOf\":{\"@id\":\"https:\\\/\\\/blogit.jamk.fi\\\/techtothefuture\\\/#website\"},\"primaryImageOfPage\":{\"@id\":\"https:\\\/\\\/blogit.jamk.fi\\\/techtothefuture\\\/2019\\\/08\\\/26\\\/keski-suomesta-ald-landia\\\/#primaryimage\"},\"image\":{\"@id\":\"https:\\\/\\\/blogit.jamk.fi\\\/techtothefuture\\\/2019\\\/08\\\/26\\\/keski-suomesta-ald-landia\\\/#primaryimage\"},\"thumbnailUrl\":\"https:\\\/\\\/blogit.jamk.fi\\\/techtothefuture\\\/wp-content\\\/uploads\\\/sites\\\/530\\\/2019\\\/08\\\/ALD-laite-JAMK.jpg\",\"datePublished\":\"2019-08-26T05:00:27+00:00\",\"dateModified\":\"2024-02-09T13:33:51+00:00\",\"author\":{\"@id\":\"https:\\\/\\\/blogit.jamk.fi\\\/techtothefuture\\\/#\\\/schema\\\/person\\\/b478af14b390b3e603675f21efaab6e0\"},\"breadcrumb\":{\"@id\":\"https:\\\/\\\/blogit.jamk.fi\\\/techtothefuture\\\/2019\\\/08\\\/26\\\/keski-suomesta-ald-landia\\\/#breadcrumb\"},\"inLanguage\":\"fi\",\"potentialAction\":[{\"@type\":\"ReadAction\",\"target\":[\"https:\\\/\\\/blogit.jamk.fi\\\/techtothefuture\\\/2019\\\/08\\\/26\\\/keski-suomesta-ald-landia\\\/\"]}]},{\"@type\":\"ImageObject\",\"inLanguage\":\"fi\",\"@id\":\"https:\\\/\\\/blogit.jamk.fi\\\/techtothefuture\\\/2019\\\/08\\\/26\\\/keski-suomesta-ald-landia\\\/#primaryimage\",\"url\":\"https:\\\/\\\/blogit.jamk.fi\\\/techtothefuture\\\/wp-content\\\/uploads\\\/sites\\\/530\\\/2019\\\/08\\\/ALD-laite-JAMK.jpg\",\"contentUrl\":\"https:\\\/\\\/blogit.jamk.fi\\\/techtothefuture\\\/wp-content\\\/uploads\\\/sites\\\/530\\\/2019\\\/08\\\/ALD-laite-JAMK.jpg\",\"width\":800,\"height\":600,\"caption\":\"OLYMPUS DIGITAL CAMERA\"},{\"@type\":\"BreadcrumbList\",\"@id\":\"https:\\\/\\\/blogit.jamk.fi\\\/techtothefuture\\\/2019\\\/08\\\/26\\\/keski-suomesta-ald-landia\\\/#breadcrumb\",\"itemListElement\":[{\"@type\":\"ListItem\",\"position\":1,\"name\":\"Home\",\"item\":\"https:\\\/\\\/blogit.jamk.fi\\\/techtothefuture\\\/\"},{\"@type\":\"ListItem\",\"position\":2,\"name\":\"Keski-Suomesta ALD -landia?\"}]},{\"@type\":\"WebSite\",\"@id\":\"https:\\\/\\\/blogit.jamk.fi\\\/techtothefuture\\\/#website\",\"url\":\"https:\\\/\\\/blogit.jamk.fi\\\/techtothefuture\\\/\",\"name\":\"Tech to the Future\",\"description\":\"Blogissa kerromme monipuolisesti Jamkin teknologiayksik\u00f6n TKI-toiminnasta ja nostamme esille asiantuntijuuksiimme liittyvi\u00e4 aiheita, joita ovat mm. kyberturvallisuus, ICT, automaatio- ja robotiikka, biotalous, logistiikka, rakennustekniikka ja teollisuus.\",\"potentialAction\":[{\"@type\":\"SearchAction\",\"target\":{\"@type\":\"EntryPoint\",\"urlTemplate\":\"https:\\\/\\\/blogit.jamk.fi\\\/techtothefuture\\\/?s={search_term_string}\"},\"query-input\":{\"@type\":\"PropertyValueSpecification\",\"valueRequired\":true,\"valueName\":\"search_term_string\"}}],\"inLanguage\":\"fi\"},{\"@type\":\"Person\",\"@id\":\"https:\\\/\\\/blogit.jamk.fi\\\/techtothefuture\\\/#\\\/schema\\\/person\\\/b478af14b390b3e603675f21efaab6e0\",\"name\":\"Toimittaja\",\"image\":{\"@type\":\"ImageObject\",\"inLanguage\":\"fi\",\"@id\":\"https:\\\/\\\/secure.gravatar.com\\\/avatar\\\/5c0a572ac9ecdf261f6135a43bebe8a7d43a443dc4dc12ee466cd93c1355fa4e?s=96&d=mm&r=g\",\"url\":\"https:\\\/\\\/secure.gravatar.com\\\/avatar\\\/5c0a572ac9ecdf261f6135a43bebe8a7d43a443dc4dc12ee466cd93c1355fa4e?s=96&d=mm&r=g\",\"contentUrl\":\"https:\\\/\\\/secure.gravatar.com\\\/avatar\\\/5c0a572ac9ecdf261f6135a43bebe8a7d43a443dc4dc12ee466cd93c1355fa4e?s=96&d=mm&r=g\",\"caption\":\"Toimittaja\"},\"url\":\"https:\\\/\\\/blogit.jamk.fi\\\/techtothefuture\\\/author\\\/mintan\\\/\"}]}<\/script>\n<!-- \/ Yoast SEO plugin. -->","yoast_head_json":{"title":"Keski-Suomesta ALD -landia? - Tech to the Future","robots":{"index":"index","follow":"follow","max-snippet":"max-snippet:-1","max-image-preview":"max-image-preview:large","max-video-preview":"max-video-preview:-1"},"canonical":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/2019\/08\/26\/keski-suomesta-ald-landia\/","og_locale":"fi_FI","og_type":"article","og_title":"Keski-Suomesta ALD -landia? - Tech to the Future","og_description":"Jyv\u00e4skyl\u00e4n ammattikorkeakoulussa p\u00e4\u00e4ttyi kev\u00e4\u00e4ll\u00e4 ohutkalvojen kokeelliseen ja soveltavaan tutkimukseen keskittynyt Teollisesti Funktionaaliset pinnat -hanke (TFP). Tieteellisell\u00e4 ohutkalvotutkimuksella on Suomalaisessa yliopistokent\u00e4ss\u00e4 pitk\u00e4t perinteet.\u00a0 Kansainv\u00e4lisesti arvostettua ohutkalvotutkimusta on tehty mm. Helsingin yliopistossa, Teknillisess\u00e4 Korkeakoulussa (Aalto yliopistossa) sek\u00e4 Jyv\u00e4skyl\u00e4n yliopistossa. Ammattikorkeakoulusektorilla soveltavaa ohutkalvotutkimusta on tehty varsin v\u00e4h\u00e4n. Erityisesti Millenium \u2013 palkitun atomikerroskasvatusteknologian (ALD) kehitys on nostanut ohutkalvotekniikan sovellettavuuden […]","og_url":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/2019\/08\/26\/keski-suomesta-ald-landia\/","og_site_name":"Tech to the Future","article_published_time":"2019-08-26T05:00:27+00:00","article_modified_time":"2024-02-09T13:33:51+00:00","og_image":[{"width":800,"height":600,"url":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/wp-content\/uploads\/sites\/530\/2019\/08\/ALD-laite-JAMK.jpg","type":"image\/jpeg"}],"author":"Toimittaja","twitter_card":"summary_large_image","twitter_misc":{"Written by":"Toimittaja","Est. reading time":"11 minuuttia"},"schema":{"@context":"https:\/\/schema.org","@graph":[{"@type":"Article","@id":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/2019\/08\/26\/keski-suomesta-ald-landia\/#article","isPartOf":{"@id":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/2019\/08\/26\/keski-suomesta-ald-landia\/"},"author":{"name":"Toimittaja","@id":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/#\/schema\/person\/b478af14b390b3e603675f21efaab6e0"},"headline":"Keski-Suomesta ALD -landia?","datePublished":"2019-08-26T05:00:27+00:00","dateModified":"2024-02-09T13:33:51+00:00","mainEntityOfPage":{"@id":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/2019\/08\/26\/keski-suomesta-ald-landia\/"},"wordCount":2187,"commentCount":0,"image":{"@id":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/2019\/08\/26\/keski-suomesta-ald-landia\/#primaryimage"},"thumbnailUrl":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/wp-content\/uploads\/sites\/530\/2019\/08\/ALD-laite-JAMK.jpg","keywords":["ALD CoCampus","atomikerroskasvatus","ohutkalvopinnoitus"],"articleSection":["Teollisuus"],"inLanguage":"fi","potentialAction":[{"@type":"CommentAction","name":"Comment","target":["https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/2019\/08\/26\/keski-suomesta-ald-landia\/#respond"]}]},{"@type":"WebPage","@id":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/2019\/08\/26\/keski-suomesta-ald-landia\/","url":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/2019\/08\/26\/keski-suomesta-ald-landia\/","name":"Keski-Suomesta ALD -landia? - Tech to the Future","isPartOf":{"@id":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/#website"},"primaryImageOfPage":{"@id":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/2019\/08\/26\/keski-suomesta-ald-landia\/#primaryimage"},"image":{"@id":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/2019\/08\/26\/keski-suomesta-ald-landia\/#primaryimage"},"thumbnailUrl":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/wp-content\/uploads\/sites\/530\/2019\/08\/ALD-laite-JAMK.jpg","datePublished":"2019-08-26T05:00:27+00:00","dateModified":"2024-02-09T13:33:51+00:00","author":{"@id":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/#\/schema\/person\/b478af14b390b3e603675f21efaab6e0"},"breadcrumb":{"@id":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/2019\/08\/26\/keski-suomesta-ald-landia\/#breadcrumb"},"inLanguage":"fi","potentialAction":[{"@type":"ReadAction","target":["https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/2019\/08\/26\/keski-suomesta-ald-landia\/"]}]},{"@type":"ImageObject","inLanguage":"fi","@id":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/2019\/08\/26\/keski-suomesta-ald-landia\/#primaryimage","url":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/wp-content\/uploads\/sites\/530\/2019\/08\/ALD-laite-JAMK.jpg","contentUrl":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/wp-content\/uploads\/sites\/530\/2019\/08\/ALD-laite-JAMK.jpg","width":800,"height":600,"caption":"OLYMPUS DIGITAL CAMERA"},{"@type":"BreadcrumbList","@id":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/2019\/08\/26\/keski-suomesta-ald-landia\/#breadcrumb","itemListElement":[{"@type":"ListItem","position":1,"name":"Home","item":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/"},{"@type":"ListItem","position":2,"name":"Keski-Suomesta ALD -landia?"}]},{"@type":"WebSite","@id":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/#website","url":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/","name":"Tech to the Future","description":"Blogissa kerromme monipuolisesti Jamkin teknologiayksik\u00f6n TKI-toiminnasta ja nostamme esille asiantuntijuuksiimme liittyvi\u00e4 aiheita, joita ovat mm. kyberturvallisuus, ICT, automaatio- ja robotiikka, biotalous, logistiikka, rakennustekniikka ja teollisuus.","potentialAction":[{"@type":"SearchAction","target":{"@type":"EntryPoint","urlTemplate":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/?s={search_term_string}"},"query-input":{"@type":"PropertyValueSpecification","valueRequired":true,"valueName":"search_term_string"}}],"inLanguage":"fi"},{"@type":"Person","@id":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/#\/schema\/person\/b478af14b390b3e603675f21efaab6e0","name":"Toimittaja","image":{"@type":"ImageObject","inLanguage":"fi","@id":"https:\/\/secure.gravatar.com\/avatar\/5c0a572ac9ecdf261f6135a43bebe8a7d43a443dc4dc12ee466cd93c1355fa4e?s=96&d=mm&r=g","url":"https:\/\/secure.gravatar.com\/avatar\/5c0a572ac9ecdf261f6135a43bebe8a7d43a443dc4dc12ee466cd93c1355fa4e?s=96&d=mm&r=g","contentUrl":"https:\/\/secure.gravatar.com\/avatar\/5c0a572ac9ecdf261f6135a43bebe8a7d43a443dc4dc12ee466cd93c1355fa4e?s=96&d=mm&r=g","caption":"Toimittaja"},"url":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/author\/mintan\/"}]}},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/198","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/wp-json\/wp\/v2\/users\/450"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=198"}],"version-history":[{"count":3,"href":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/198\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":936,"href":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/198\/revisions\/936"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/wp-json\/wp\/v2\/media\/201"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=198"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=198"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/blogit.jamk.fi\/techtothefuture\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=198"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}